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Effect of N2 plasma treatments on dry etch damage in n- and p-type GaN

  • Published:2001-03 Issue:3 Volume:45 Page:467-470
  • ISSN:0038-1101
  • Container-title:Solid-State Electronics
  • language:en
  • Short-container-title:Solid-State Electronics

Author:

Kent D.G,Lee K.P,Zhang A.P,Luo B,Overberg M.E,Abernathy C.R,Ren F,Mackenzie K.D,Pearton S.J,Nakagawa Y

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference16 articles.

1. Shul RJ. In: S.J. Pearton, editor. GaN and related materials II, NY: Gordon and Breach; 1999

2. Plasma etch-induced conduction changes in gallium nitride

3. The effects of reactive ion etching-induced damage on the characteristics of ohmic contacts to n-Type GaN

4. GaN: Processing, defects, and devices

5. Adesida I. In: Edgar JH, Strite S, Amano H, Akasaki I, editors. London: Inspec; 1999

Cited by 25 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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