Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si1−yCy layer for strained Si n-MOSFETs

Author:

Chen P.S.,Lee S.W.,Liao K.F.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference21 articles.

1. A Logic Nanotechnology Featuring Strained-Silicon

2. Fabrication and analysis of deep submicron strained-Si n-MOSFET's

3. M.H. Lee, P.S. Chen, W.-C. Hua, C.-Y. Yu, Y.T. Tseng, S. Maikap, Y.M. Hsu, C.W. Liu, S.C. Lu, W.-Y. Hsieh, M.-J. Tsai, IEDM Tech. Digest, Washington, D.C., 2003, p. 69.

4. Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

5. Strain relaxation and dislocations in SiGe/Si structures

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