Exploring amorphous Ge-As-Se-Te as an active layer candidate in memristive devices
Author:
Funder
Canada Excellence Research Chairs, Government of Canada
Canada First Research Excellence Fund
Publisher
Elsevier BV
Reference67 articles.
1. High density 3D memory architecture based on the resistive switching effect;Kügeler;Solid-State Electron.,2009
2. Super non-linear RRAM with ultra-low power for 3D vertical nano-crossbar arrays;Luo;Nanoscale,2016
3. Multibit memory operation of metal-oxide bi-layer memristors;Stathopoulos;Sci. Rep.,2017
4. Fully hardware-implemented memristor convolutional neural network;Yao;Nature,2020
5. 2022 Roadmap on neuromorphic computing and engineering;Christensen;Neuromorph. Comput. Eng.,2022
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