Ferroelectric Properties of Rare Earth-Doped Epitaxial HfO<sub>2</sub> Thin Films

Author:

刘 洋

Publisher

Hans Publishers

Reference25 articles.

1. Xue, S. (2021) Overview of Computer Architecture Development Direction Breaking through Von Neumann Architecture. International Core Journal of Engineering, 7, 330-334.

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3. HfO2-based ferroelectrics: From enhancing performance, material design, to applications

4. Multilevel metal/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/TiOxNy/Si for next generation FeRAM technology node

5. Current status and challenges of ferroelectric memory devices

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