A 24-41.5 GHz LNA with Enhanced IP1dB in 65-nm BULK CMOS for 5G Applications
Author:
Affiliation:
1. Cairo University,Faculty of Engineering,Giza,Egypt
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9924553/9924623/09924936.pdf?arnumber=9924936
Reference7 articles.
1. A Build-in Self-Test Technique for RF Low-Noise Amplifiers
2. A Low-Power, Linearized, Ultra-Wideband LNA Design Technique
3. Analysis and Design of Millimeter-Wave Low-Voltage CMOS Cascode LNA With Magnetic Coupled Technique
4. A Wideband Variable Gain LNA With High OIP3 for 5G Using 40-nm Bulk CMOS
5. Silicon-Based True-Time-Delay Phased-Array Front-Ends at Ka-Band
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1. A 24-40 GHz Wideband LNA with Gain Compensation in 40-nm CMOS for 5G Applications;2023 16th UK-Europe-China Workshop on Millimetre Waves and Terahertz Technologies (UCMMT);2023-08-31
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