Noise Figure Measurement of 60 GHz Band Amplifiers at Cryogenic Temperatures
Author:
Affiliation:
1. NTT DOCOMO, INC,Yokosuka,Japan
2. Tohoku University,Sendai,Japan
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10265282/10265283/10265375.pdf?arnumber=10265375
Reference10 articles.
1. Ultra-low-noise cryogenic high-electron-mobility transistors
2. FET’s and HEMT’s at Cryogenic Temperatues---Their Properties and Use in Low-noise Amplifier---;posieszalski;IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,1988
3. Cryogenic Noise-Parameter Measurements: Recent Research and a Fully Automated Measurement Application
4. Down With Noise: An Introduction to a Low-Noise Amplifier Survey
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