A High Linearity W-Band LNA With 21-dB Gain and 5.5-dB NF in 0.13 μm SiGe BiCMOS
Author:
Funder
National Natural Science Foundation of China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9337937/9337948/09337946.pdf?arnumber=9337946
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1. A G-Band SiGe BiCMOS LNA With an On-Chip and Compact Temperature Compensation Biasing Circuit;2023 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2023;2023-06-11
2. A 5.9 mW E-/W-Band SiGe-HBT LNA With 48 GHz 3-dB Bandwidth and 4.5-dB Noise Figure;IEEE Microwave and Wireless Components Letters;2022-12
3. A 45-GHz Low Noise Amplifier With 3.5-dB NF and 25-dB Gain for 802.11aj Application;2022 15th UK-Europe-China Workshop on Millimetre-Waves and Terahertz Technologies (UCMMT);2022-10-17
4. A Wideband E-Band Low Noise Amplifier in 0.1 µm GaAs Process;2022 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT);2022-08-12
5. A Wideband E/W-Band Low-Noise Amplifier MMIC in a 70-nm Gate-Length GaN HEMT Technology;IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques;2022-02
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