Determination of silicon and copper in aluminium alloy for semiconductor devices using ICP-OES after sodium hydroxide-nitric acid decomposition
Author:
Affiliation:
1. Lighting Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Publisher
Japan Society for Analytical Chemistry
Subject
Analytical Chemistry
Link
http://www.jstage.jst.go.jp/article/bunsekikagaku/53/11/53_11_1355/_pdf
Reference9 articles.
1. 1) 安藤淳平, 佐治 孝: "無機工業化学", p. 258 (1980), (東京化学同人).
2. 2) 大平五郎: "実用金属材料学", p. 149 (1979), (日刊工業新聞社).
3. 3) 岸野正剛: "超LSI材料.プロセスの基礎", p. 141 (1987), (オーム社).
4. Aluminum conductor materials for silicon LSI.
5. 5) 日本規格協会: "JISハンドブック非鉄", p. 692 (2002).
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1. Determination of Trace Uranium in Epoxy Resin for Semiconductor Devices by Fluorescence Spectrometry after Anion Exchange Separation and Thenoyltrifluoroacetone Liquid-Liquid Extraction;BUNSEKI KAGAKU;2005
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