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GaN-based quantum dot infrared photodetector operating at 1.38 [micro sign]m

  • Published:2005 Issue:19 Volume:41 Page:1077
  • ISSN:0013-5194
  • Container-title:Electronics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Electron. Lett.

Author:

Doyennette L.,Nevou L.,Tchernycheva M.,Lupu A.,Guillot F.,Monroy E.,Colombelli R.,Julien F.H.

Publisher

Institution of Engineering and Technology (IET)

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Cited by 40 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Quantum dot infrared photodetectors;Reference Module in Materials Science and Materials Engineering;2023

2. Intersubband transitions in nonpolar and semipolar III-nitrides: Materials, devices, and applications;Journal of Applied Physics;2022-06-07

3. Infrared emitters using III-nitride semiconductors;Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs);2018

4. Intersubband Optoelectronics Using III-Nitride Semiconductors;Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices;2017-10-13

5. Fabrication of GaN quantum dots by MOCVD for intersubband transitions infrared detectors;SPIE Proceedings;2017-03-08
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