Упругие и оптические свойства топологических изоляторов Bi1-xSbxTe1-ySey: Роль объемных дефектов / Жевстовских И.В., Аверкиев Н.С., Гудков В.В., Сарычев М.Н., Поносов Ю.С., Кузнецова Т.В., Кох К.А., Терещенко О.Е.

Author:

Abstract

В четверных соединениях Bi1-xSbxTe1-ySey, характеризующихся одновременным наличием поверхностных состояний проводимости и объемной запрещенной зоны, для значений (x, y)=(0.5, 1.3) реализуется максимальная компенсация электронов и дырок [1]. Большая энергетическая щель Eg~300 meV и малый вклад от объемных носителей в кристалле Bi1.5Sb0.5Te1.8Se0.2 делают его наиболее подходящим кандидатом для генерации эффективного спин-поляризованного тока [2]. Объемно-изолирующее поведение в Bi1-xSbxTe1-ySey достигается введением двух преобладающих типов заряженных дефектов: вакансий Se и дефектов замещения (Bi,Sb)/Te. Однако, в процессе роста могут образоваться и другие дефекты, случайное распределение которых в кристалле трудно контролировать, но их присутствие может влиять на положение уровня Ферми и изменять проводящие свойства этих соединений не только в объеме, но и на поверхности. В данной работе представлены результаты экспериментального исследования упругих и оптических свойств монокристаллов Bi1-xSbxTe1-ySey в широкой области температур 4-360 К, которые выявили наличие точечных дефектов низкой симметрии. На температурной зависимости поглощения продольной ультразвуковой волны, распространяющейся вдоль базисной оси в кристалле Bi1.5Sb0.5Te1.8Se0.2, вблизи 200 К был обнаружен пик и смягчение упругого модуля 33 c . Рамановские спектры, полученные на том же самом образце в различной поляризационной геометрии, показали наличие дополнительной колебательной моды на частоте 125 cm-1, ширина линии этой моды значительно (на 30 cm-1) возрастала с ростом температуры, а частота резко падала вблизи 200 К. Обнаруженная корреляция аномального поведения упругих и оптических свойств указывала на общую природу, а их характер - на проявление беспорядка, вызванного наличием объемных дефектов низкой симметрии, обсуждаются возможные типы таких дефектов [3].

Publisher

Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3