Abstract
В четверных соединениях Bi1-xSbxTe1-ySey, характеризующихся одновременным наличием
поверхностных состояний проводимости и объемной запрещенной зоны, для значений (x, y)=(0.5, 1.3)
реализуется максимальная компенсация электронов и дырок [1]. Большая энергетическая щель
Eg~300 meV и малый вклад от объемных носителей в кристалле Bi1.5Sb0.5Te1.8Se0.2 делают его
наиболее подходящим кандидатом для генерации эффективного спин-поляризованного тока [2].
Объемно-изолирующее поведение в Bi1-xSbxTe1-ySey достигается введением двух преобладающих
типов заряженных дефектов: вакансий Se и дефектов замещения (Bi,Sb)/Te. Однако, в процессе роста
могут образоваться и другие дефекты, случайное распределение которых в кристалле трудно
контролировать, но их присутствие может влиять на положение уровня Ферми и изменять
проводящие свойства этих соединений не только в объеме, но и на поверхности.
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования упругих и
оптических свойств монокристаллов Bi1-xSbxTe1-ySey в широкой области температур 4-360 К, которые
выявили наличие точечных дефектов низкой симметрии. На температурной зависимости поглощения
продольной ультразвуковой волны, распространяющейся
вдоль базисной оси в кристалле Bi1.5Sb0.5Te1.8Se0.2, вблизи
200 К был обнаружен пик и смягчение упругого
модуля 33 c . Рамановские спектры, полученные на том же
самом образце в различной поляризационной геометрии,
показали наличие дополнительной колебательной моды на
частоте 125 cm-1, ширина линии этой моды значительно
(на 30 cm-1) возрастала с ростом температуры, а частота
резко падала вблизи 200 К. Обнаруженная
корреляция аномального поведения упругих и оптических
свойств указывала на общую природу, а их характер - на
проявление беспорядка, вызванного наличием объемных
дефектов низкой симметрии, обсуждаются возможные
типы таких дефектов [3].
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS