Abstract
Поверхность кремния и, в частности, поверхность Si(111), по настоящее время является
важнейшей для электронной технологии. Хорошо известно, что чистая поверхность Si(111) имеет
реконструкцию (77), а при повышении температуры поверхности до температур около 1120 К (830-
850°С) происходит фазовый структурный переход (77)-(11). Предполагается, что причиной
фазового перехода (ФП) (77)-(11) является увеличение концентрации избыточных подвижных
адатомов кремния от 0.08 Мсл до 0.2 Мсл при увеличении температуры поверхности выше 850°С. На
высокотемпературной структуре (11) концентрация подвижных адатомов кремния выше на 0.12
Мсл, чем на структуре (77), что было обнаружено при сравнении количества неупорядоченных
островков Si, наблюдаемых на структуре (77) методом СТМ, после резкого охлаждения поверхности
от 900°С и 600°С до достаточно низких температур (так
называемый, quenching) [1]. Поэтому под внешним потоком
кремния будет происходить понижение температуры перехода Тс,
другими словами внешний поток стабилизирует неупорядоченную
фазу (11). В работе [2] сдвиг температуры оценен как ΔT = –3 K
при малом ростовом потоке кремния 4.4х1012 атомов/(см2 с), а в
работе [3] предполагалось, что сдвиг может оказаться больше,
вплоть до 30 К, при увеличении потока кремния до 4х1013
атомов/(см2
*с). Однако прямых измерений сдвига температуры
перехода под потоком кремния проведено не было.
В настоящей работе исследован ФП (77)-(11) без потока
кремния и под воздействием потока кремния методом дифракции
быстрых электронов. Давление в потоке кремния, т.е. измеренное
вакуумметром на месте образца, составляло 4х10-10 Торр, что
эквивалентно потоку 1-1.5х1013 атомов/(см2
*с).
Представлено поведение интенсивности дробного
RHEED рефлекса (0 3/7) при переходе (77)-(11). Совпадение
прямого и обратного хода кривой изменения интенсивности, а
также увеличение ширины рефлекса вблизи критической точки,
свидетельствуют о непрерывности ФП с критической
температурой Tc=1135 K (862 С). Видно, что при воздействии
потока кремния на поверхность кривая фазового перехода
сдвигается в область более низких температур, сдвиг составляет
10-12°С. Мы полагаем, что эффект может быть объяснен отталкиванием адатомов кремния, что
приводит к снижению эффективного взаимодействия, которое обеспечивает энергетический
выигрыш при формировании (77).
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS