Влияние потока Si на фазовый переход (77)(11) на поверхности Si (111) / Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Журавлев К.С

Author:

Abstract

Поверхность кремния и, в частности, поверхность Si(111), по настоящее время является важнейшей для электронной технологии. Хорошо известно, что чистая поверхность Si(111) имеет реконструкцию (77), а при повышении температуры поверхности до температур около 1120 К (830- 850°С) происходит фазовый структурный переход (77)-(11). Предполагается, что причиной фазового перехода (ФП) (77)-(11) является увеличение концентрации избыточных подвижных адатомов кремния от 0.08 Мсл до 0.2 Мсл при увеличении температуры поверхности выше 850°С. На высокотемпературной структуре (11) концентрация подвижных адатомов кремния выше на 0.12 Мсл, чем на структуре (77), что было обнаружено при сравнении количества неупорядоченных островков Si, наблюдаемых на структуре (77) методом СТМ, после резкого охлаждения поверхности от 900°С и 600°С до достаточно низких температур (так называемый, quenching) [1]. Поэтому под внешним потоком кремния будет происходить понижение температуры перехода Тс, другими словами внешний поток стабилизирует неупорядоченную фазу (11). В работе [2] сдвиг температуры оценен как ΔT = –3 K при малом ростовом потоке кремния 4.4х1012 атомов/(см2 с), а в работе [3] предполагалось, что сдвиг может оказаться больше, вплоть до 30 К, при увеличении потока кремния до 4х1013 атомов/(см2 *с). Однако прямых измерений сдвига температуры перехода под потоком кремния проведено не было. В настоящей работе исследован ФП (77)-(11) без потока кремния и под воздействием потока кремния методом дифракции быстрых электронов. Давление в потоке кремния, т.е. измеренное вакуумметром на месте образца, составляло 4х10-10 Торр, что эквивалентно потоку 1-1.5х1013 атомов/(см2 *с). Представлено поведение интенсивности дробного RHEED рефлекса (0 3/7) при переходе (77)-(11). Совпадение прямого и обратного хода кривой изменения интенсивности, а также увеличение ширины рефлекса вблизи критической точки, свидетельствуют о непрерывности ФП с критической температурой Tc=1135 K (862 С). Видно, что при воздействии потока кремния на поверхность кривая фазового перехода сдвигается в область более низких температур, сдвиг составляет 10-12°С. Мы полагаем, что эффект может быть объяснен отталкиванием адатомов кремния, что приводит к снижению эффективного взаимодействия, которое обеспечивает энергетический выигрыш при формировании (77).

Publisher

Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3