First Principles Investigation of Photoelectric Properties of Ga2o3 Doped with Group IV Elements (Si,Ge,Sn)

Author:

Yu Miao,Peng Bo,Sun Kai,Yu Jiangang,Yuan Lei,Hu Jichao,Zhang Yuming,jia renxu

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Earth and Planetary Sciences,General Environmental Science

Reference52 articles.

1. Review of ga2o3-based optoelectronic devices;D Guo;Materials Today Physics,2019

2. A review of ga2o3 materials, processing, and devices;S Pearton;Applied Physics Reviews,2018

3. Current status of ga2o3 power devices;M Higashiwaki;Japanese Journal of Applied Physics,2016

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