Growth and Impact of Intrinsic Interlayers in High Temperature Vapor Phase Epitaxy of GaN
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference37 articles.
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3. Reduction mechanisms for defect densities in GaN using one-or two-step epitaxial lateral overgrowth methods;P Venn�gu�s;J. Appl. Phys,2000
4. On the origin of threading dislocations in GaN films;M A Moram;J. Appl. Phys,2009
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