Study on the Influence Mechanism of Gate Oxide Degradation on Dm Emi Signals in Sic Mosfet
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference24 articles.
1. Review on SiC MOSFETs High-Voltage Device Reliability Focusing on Threshold Voltage Instability;K Puschkarsky;IEEE Trans. Electron. Devices,2019
2. Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices;D Othman;Microelectron. Reliab,2013
3. Reliability and reliability investigation of widebandgap power devices;J Lutz;Microelectron. Reliab,2018
4. Real-time measurement of temperature sensitive electrical parameters in SiC power MOSFETs;A Griffo;IEEE Trans. Ind. Electron,2018
5. Evaluation of aging's effect on temperature-sensitive electrical parameters in SiC MOSFETs;F Yang;IEEE Trans.Power Electron,2020
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