Thermal degradation of metamorphic HEMT InAlAs/InGaAs/InAlAs grown on GaAs substrates
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/1238/1/012022/pdf
Reference14 articles.
1. The indium content in metamorphic As/As HEMTs on GaAs substrate: a new structure parameter
2. InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors on GaAs Substrate: Influence of Indium Content on Material Properties and Device Performance
3. Defects in metamorphic InxAl1−xAs (x<0.4) epilayers grown on GaAs substrates
4. Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs
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