Room temperature direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge ridge waveguide on Si
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/25/12/126104/pdf
Reference19 articles.
1. III-V/Si hybrid photonic devices by direct fusion bonding
2. Lasing in direct-bandgap GeSn alloy grown on Si
3. Electrically pumped continuous-wave III–V quantum dot lasers on silicon
4. Tensile-strained, n-type Ge as a gain medium for monolithic laser integration on Si
5. Effects of annealing temperature on shape transformation and optical properties of germanium quantum dots
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