Diffusion of Ion Implanted As in Si 1- x Ge x Epilayers
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/14/1/014/pdf
Reference16 articles.
1. Low-temperature Si and Si:Ge epitaxy by ultrahigh-vacuum/chemical vapor deposition: Process fundamentals
2. SiGe heterojunctions: devices and applications
3. Rapid thermal annealing of high concentration, arsenic implanted silicon single crystals
4. Electron microscopy characterization of monoclinic SiAs precipitates in heavily As+-implanted silicon
5. Precipitation, aggregation, and diffusion in heavily arsenic-doped silicon
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1. Splitting Behaviour of Implanted MeV Au + Ions in LiB 3 O 5;Chinese Physics Letters;2000-01-01
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