High Contrast SEM Observation of Semiconductor Dopant Profile using TripleBeam® System-Reference-Cited by-同舟云学术

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High Contrast SEM Observation of Semiconductor Dopant Profile using TripleBeam® System

Published:2017-07 Issue:S1 Volume:23 Page:1508-1509
ISSN:1431-9276
Container-title:Microscopy and Microanalysis
language:en
Short-container-title:Microsc Microanal

Author:

Aizawa Yuka,Sato Takahiro,Sunaoshi Takeshi,Matsumoto Hiroaki,Agemura Toshihide,Torikawa Shota,Nakatani Ikuko,Kiyohara Masahiro

Publisher

Cambridge University Press (CUP)

Subject

Instrumentation

Reference2 articles.

1. Sunaoshi T , et al Proceedings of the 2016 IEEE 23rd IPFA, p.148.

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Low damage lamella preparation of metallic materials by FIB processing with low acceleration voltage and a low incident angle Ar ion milling finish;Journal of Microscopy;2020-02-19

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