Affiliation:
1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; ООО «НИИМЭ-Микродизайн»
2. Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
3. ООО «НИИМЭ-Микродизайн»
Abstract
Представлена модель в цилиндрических координатах для приборно-технологического моделирования эффектов воздействия ТЗЧ на n-МОП-структуру в TCAD. Выработанный критерий сбоя на основе граничного тока позволяет определить радиус воздействия диффузионного тока, возникшего от частицы. Предложена методика быстрой аналитической оценки сечения сбоя микросхемы памяти с использованием полученных результатов моделирования. Проведена апробация методики с использованием экспериментальных данных, полученных по результатам испытаний опытных образцов микросхем СОЗУ информационной емкостью 16 Мбит, изготовленных по технологии КМОП с проектными нормами 90 нм.
Reference27 articles.
1. G. Tsiligiannis et al. “Multiple Cell Upset Classification in Commercial SRAMs”, in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 61, no. 4, pp. 1747–1754, Aug. 2014, doi: 10.1109/TNS.2014.2313742
2. O.A. Amusan et al. Charge Collection and Charge Sharing in a 130 nm CMOS Technology // IEEE Transactions on Nuclear Science, 2006, vol. 53, no. 6. – C. 3253–3258.
3. O.A. Amusan et al. “Single Event Upsets in a 130 nm Hardened Latch Design Due to Charge Sharing”, 2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual, 2007, pp. 306–311, doi: 10.1109/RELPHY.2007.369908
4. R.C. Baumann. Radiation-Induced Soft Errors in Advanced Semiconductor Technologies // IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 5, No. 3, September 2005.
5. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС / Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с. – Библиогр.: С. 154–162.