1. Тимаков А.В., Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И. Многоуровневая металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе вольфрама. Физика и технология. Обзор // Изв. вузов. Электроника. 2023. Т. 28. № 2. С. 164-179. EDN: SIMAWM
2. High-Temperature IC‘s. - Fraunhofer-Institut fU+0026#252;r Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS. URL: www.ims.fraunhofer.de (accessed 20 аugust 2022).
3. High-Temperature-Electronics/Technologies/HT-SOI-CMOS. - Вusiness_Units_and_Core_Competencies. URL www.ims.fraunhofer.de (accessed: 10 аugust 2022).
4. Timakov A.V., Shevyakov V.I. Investigation of the electrophysical and mechanical properties of metallization based on alloys W with Re, Ti, N for high-temperature silicon VLSI // Proc. of SPIE - 2022. Vol. 121571215719-6. (WoS, Scopus.). EDN: VJZNRX
5. Патент РФ RU2775446 C1 // Способ получения тонких металлических пленок на основе вольфрама.