АНАЛИЗ ПРИБОРНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СТРУКТУРАМ AlGaN/GaN НА Si ДЛЯ СИЛОВОЙ И СВЧ ЭКБ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"-Reference-Cited by-同舟云学术

АНАЛИЗ ПРИБОРНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СТРУКТУРАМ AlGaN/GaN НА Si ДЛЯ СИЛОВОЙ И СВЧ ЭКБ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Published:2022 Issue:4 Volume: Page:5-17
ISSN:2410-9932
Container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника
language:ru
Short-container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника

Author:

Баранов Г.В.¹,Беляев А.О.²,Дорофеев А.А.³,Леоненков Е.И.³,Панасенко П.В.⁴,Ромодин М.С.⁵

Affiliation:

1. АО «НИИМЭ»; ООО «НИИМЭ-МД»; НИУ «МФТИ»

2. АО «НИИМЭ»; НИТУ «МИСИС»

3. АО «НИИМЭ»; ООО «НИИМЭ-МД»

4. АО «НИИМЭ»

5. НИУ «МФТИ»

Abstract

Проведен системный анализ требований, предъявляемых к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на Si-подложке, для реализации на их основе силовой и СВЧ ЭКБ по HEMT технологии: требования к структуре гетероперехода AlGaN/GaN, пассивирующему слою, конструкции буферного слоя и проводимости кремниевой подложки.

Publisher

Akademizdatcenter Nauka

Reference41 articles.

1. Chang S. et al. The influence of AlN nucleation layer on RF transmission loss of GaN buffer on high resistivity Si (111) substrate // Semiconductor Science and Technology. 2020. Т. 35. № 3. С. 035029.

2. Арендаренко А.А. и др. Тенденции развития эпитаксиальной технологии нитридных соединении // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18. № 1. С. 5–15.

3. Малин Т.В. и др. Компенсированный высокоомный буфер для GaN-HEMT // Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2019. Т. 1. № 1. С. 44–48.

4. Stoffels S. et al. The physical mechanism of dispersion caused by AlGaN/GaN buffers on Si and optimization for low dispersion // 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2015. С. 35.4. 1–35.4.4.

5. Marcon D., Saripalli Y.N., Decoutere S. 200 mm GaN-on-Si epitaxy and e-mode device technology // 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2015. С. 16.2.1–16.2.4.