Abstract
Рассмотрены механизмы деградации характеристик элементов хранения сегнетоэлектрической памяти на основе тонких слоев тройных соединений на базе диоксида гафния HfO. К таким механизмам относятся накопление у отрицательно заряженной поверхности сегнетоэлектрика паразитных положительных зарядов, не связанных с поляризацией, а также перераспределение доменов по их подвижности за время выдержки элементов хранения при повышенных температурах. На основе модельных представлений и экспериментальных данных рассмотрена динамика изменения электрического отклика в цепи элемента хранения в состоянии логической «1» при его чтении, в том числе после длительной выдержки при повышенных температурах.
Reference11 articles.
1. Takashima D. Overview of FeRAMs: Trends and perspectives // 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium Proceeding. IEEE, 2011. С. 1–6.
2. Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Красников А.Г. Современное состояние разработок в области энергонезависимой памяти // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 4. С. 60–64.
3. Орлов О.М., Чуприк А.А., Батурин А.С., Горнев Е.С. и др. Ячейка энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl1–xOy // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 4. С. 243.
4. Song H.W., No K. Characterization of the property degradation of PZT thin films with thickness // J. Korean Phys. Soc. 2011. Т. 58. № 4. С. 809–816.
5. Hong Y.K. et al. 130 nm-technology, 0,25 m 2, 1T1C FRAM cell for SoC (system-on-a-chip)-friendly applications // 2007 IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2007. С. 230–231.
Cited by
1 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献