Affiliation:
1. Aus dem Physikalischen Institut der Universität Münster (Westf.)
Abstract
An dünnen Aufdampfschichten (500 A) aus InSb auf SiO-Filmen wurde mit Elektronen-Beugung und -Mikroskopie die Schichtstruktur in Abhängigkeit von der Trägertemperatur während des Bedampfens untersucht. Es wurden Aussagen über die Kristallisationsfähigkeit dieser halbleitenden Verbindung in Aufdampfschichten gewonnen, wobei vor allem zunächst die Frage interessierte, wie weit in den Schichten tatsächlich reines InSb vorliegt. An Schichten dicker als 1 μ wurden einige elektrische Messungen des HALL-Effektes und der Widerstandsänderung im Magnetfeld durchgeführt und die Schichtstruktur mit Hilfe von Oberflächenabdrücken elektronenmikroskopisch untersucht.
Subject
Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics
Cited by
7 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Three-temperature method as an origin of molecular beam epitaxy;Thin Solid Films;1982-02
2. Das Aufdampfen von Verbindungshalbleitern im Hochvakuum;Thin Solid Films;1969-06
3. The preparation of InSb films;Solid-State Electronics;1968-04
4. Indium antimonide—A review of its preparation, properties and device applications;Solid-State Electronics;1962-07
5. Kondensierte Schichten;Vierter Internationaler Kongress für Elektronenmikroskopie / Fourth International Conference on Electron Microscopy / Quatrième Congrès International de Microscopie Électronique;1960