Diffusion von Antimon, Arsen und Indium in festem Germanium-Reference-Cited by-同舟云学术

Diffusion von Antimon, Arsen und Indium in festem Germanium

Published:1955-04-01 Issue:4 Volume:10 Page:285-291
ISSN:1865-7109
Container-title:Zeitschrift für Naturforschung A
language:en
Short-container-title:

Author:

Bösenberg W.¹

Affiliation:

1. Aus dem Standard Laboratorium der Süddeutschen Apparate-Fabrik, Nürnberg

Abstract

Bei Halbleitern kann der Verlauf auch geringer Störstellenkonzentrationen elektrisch gemessen und verfolgt werden. Steile Störstellenprofile entstehen während des Einkristallziehprozesses durch Störstoffeinwurf in die flüssige Schmelze. Über Impedanzmessungen wird die durch Diffusion verursachte Verflachung des anfänglichen Profils verfolgt, wobei Störstellenkonzentrationen zwischen 10-5 und 10-7 Atomteilen verwendet werden. Für Antimon, Arsen und Indium in festem Germanium wurden so Diffusionskoeffizienten der Form D =D0 exp (—Q/RT) gewonnen mit

Die gleichen Werte ergaben sich beim Eindiffundieren dünner Aufdampfschichten der oben genannten Metalle ins Innere von Germanium-Einkristallen.

Publisher

Walter de Gruyter GmbH

Subject

Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics

Link

https://www.degruyter.com/document/doi/10.1515/zna-1955-0406/pdf

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