Dopage de films de C60par implantation ionique (doping of C60films after ion implantation)

Author:

Trouillas Par P.1,Ratier B.1,Moliton A.1,Gauneau M.2,Bernier P.3

Affiliation:

1. a LEPOFI, Faculté des Sciences , 123 avenue Albert Thomas, 87060 , Limoges Cedex , France

2. b Centre National d'Etudes des Télécommunications, LAB, OCM, MPA , 22301 , Lannion Cedex , France

3. c Groupe de Dynamique des Phases Condensées, Université des Sciences et Techniques du Languedoc , case 026, 34095 , Montpellier Cedex 05 , France

Publisher

Informa UK Limited

Subject

General Physics and Astronomy,General Chemical Engineering

Cited by 5 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Electrical and Optical Properties of Ion Implanted C60;Fullerene Science and Technology;1996-12

2. Field-effect studies of C60 thin films before and after implantation with potassium;Synthetic Metals;1996-08

3. Ion Implantation in Fullerenes;Fullerene Science and Technology;1996-03

4. Compensation effects in C60 doped by ion implantation;Radiation Effects and Defects in Solids;1995-12

5. Doping effects induced by potassium ion implantation in solid C60;Synthetic Metals;1995-08

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