Dopant diffusion from ion-implanted TaSi2 into Si
Author:
Publisher
American Vacuum Society
Subject
General Engineering
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1. SNMS studies of ULSI gate interconnection structures;Fresenius' Journal of Analytical Chemistry;1991
2. Dual-type CMOS gate electrodes by dopant diffusion from silicide;IEEE Transactions on Electron Devices;1989-06
3. Quantitative secondary ion mass spectrometry analysis of contaminants in TaSi2 thin films;Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films;1989-05
4. Boron diffusion within TaSi2 /poly-Si gates;Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures;1989-01
5. INFLUENCE OF THE FABRICATION CONDITIONS ON THE p+-TaSi2/POLY-Si GATE QUALITY;Le Journal de Physique Colloques;1988-09
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