1. S.G. Wuu, H.C. Chien, D. N. Yaung, C.H. Tseng, C. S. Wang, C. K. Chang and Y.K. Hsaio, International Electron Devices Meeting, 551 (2001).
2. J. Hurwitz, S.G. Smith, A.A. Murray, P.B. Denyer, J. Thomson, S. Anderson, E. Duncan, A. Kinsey, B. Paisley, P.-F. Pugibet, E. Christison, B. Laffoley, M. Panaghiston, S. Bradshaw, J. Vittu, R. Brechignac and K. M. Findlater, ISSCC Digest of Technical Papers, San Francisco (2001).
3. X. Jin, X. Fan, Z. Liu, Z. Kuang and J. Yang, Microelectron. Eng., 87, 631 (2010).
4. S. Kawano, N. I. Smith, M. Yamanaka, S. Kawata and K. Fujita, Appl. Phys. Express, 4, 042401.1 (2011).
5. T. Imai, S. Yagi, S. Toyoda, J. Miyazu, K. Naganuma, M. Sasaura and K. Fujiura, Appl. Phys. Express, 4, 022501.1 (2011).