全氧化镓薄膜同质p-n结
Author:
Publisher
Springer Science and Business Media LLC
Subject
General Materials Science
Link
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40843-023-2741-4.pdf
Reference53 articles.
1. Peelaers H, Lyons JL, Varley JB, et al. Deep acceptors and their diffusion in Ga2O3. APL Mater, 2019, 7: 022519
2. Stampfl C, Van de Walle CG. Doping of ALxGa1−xN. Appl Phys Lett, 1998, 72: 459–461
3. Lu S, Shen P, Zhang H, et al. Towards n-type conductivity in hexagonal boron nitride. Nat Commun, 2022, 13: 3109
4. Sharma R, Law ME, Ren F, et al. Diffusion of dopants and impurities in β-Ga2O3. J Vacuum Sci Tech A-Vacuum Surfs Films, 2021, 39: 060801
5. Chikoidze E, Fellous A, Perez-Tomas A, et al. p-type β-gallium oxide: A new perspective for power and optoelectronic devices. Mater Today Phys, 2017, 3: 118–126
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