A Complete Analytical RF Model for Nanoscale Semiconductor-On-Insulator MOSFET
Author:
Publisher
Springer Science and Business Media LLC
Subject
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Link
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s12633-022-02215-3.pdf
Reference25 articles.
1. Ramo S, Whinnery JR, Duzer TV (1993) Fields and waves in communication electronics, 3rd edn. John Wiley & Sons Inc., pp 537–541
2. Del Alamo JA et al (2016) Nanometer-Scale III-V MOSFETs. IEEE J Electron Dev Soc 4(5)
3. Liu Y et al (2010) In: Oktyabrsky S, Ye PD (eds) Fundamentals of III–V Semiconductor MOSFETs. Springer, pp 31–50
4. Tang Y, Zhang L, Wang Y (2010) Accurate Small Signal modeling and extraction of Silicon MOSFET for RF IC application. Solid-State Electron 54:1312–1318
5. Zarate–Rincon F, Torres-Torres R, Murphy-Arteaga RS (2015) Consistent DC and RF MOSFET modeling using an S- parameter measurement–based parameter extraction method in the linear region. IEEE Trans Microwave Theory Techn 63(12)
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