High Voltage SiC Devices

Author:

Sugawara Y.

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Reference15 articles.

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Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Physical Properties of Silicon Carbide;Fundamentals of Silicon Carbide Technology;2014-09-26

2. Minority carrier diffusion length measurements in 6H–SiC;Journal of Applied Physics;2005-03

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