Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces-Reference-Cited by-同舟云学术

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Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces

Published:2001 Issue: Volume: Page:89-105
ISSN:0933-033X
Container-title:Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
language:
Short-container-title:

Author:

Watanabe H.,Miyata N.,Ichikawa M.

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Link

http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-3-642-56711-7_5

Reference34 articles.

1. H. S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices ED-43, 1233 (1996).

2. G. Timp et al., IEDM Tech. Dig. (1997) p. 930.

3. M. Koh, K. Iwamoto, W. Mizubayashi, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Yokoyama, S. Miyazaki, M. Miura, and M. Hirose, IEDM Tech. Dig. (1998) P. 919.

4. D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, K. Evans-Lutterodt, and G. Timp, Nature (London), 399, 758 (1999).

5. C. Chaneliere, S. Four, J. L. Autran, R. A. B. Devine, and N. P. Sandler, J. Appl. Phys. 83, 4823 (1998).

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1. Thermal Atomic Layer Etching of Silicon Using O2, HF, and Al(CH3)3 as the Reactants;Chemistry of Materials;2018-11-05

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