The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
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Springer US
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1. Memory Characteristics of Capacitors with Poly-GaP Floating Gates;Applied Science and Convergence Technology;2020-11-30
2. Interface reaction kinetics in SiGe oxidation;Applied Physics Letters;2019-12-02
3. Dielectric Materials for Microelectronics;Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials;2017
4. Memory characteristics of capacitors with poly‐GaAs floating gates;Electronics Letters;2016-05
5. Structural Analyses of Thin SiO2Films Formed by Thermal Oxidation of Atomically Flat Si Surface by Using Synchrotron Radiation X-Ray Characterization;ECS Journal of Solid State Science and Technology;2015
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