Dynamics of SiO2 Buried Layer Removal from Si-SiO2-Si and Si-SiO2-SiC Bonded Substrates by Annealing in Ar

Author:

Li L.-G.,Rubino S.,Vallin Ö.,Olsson J.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference10 articles.

1. D.-M. Martin, Ö. Vallin, J. Lu, L.-G. Li, U. Smith, H. NorstrÖm, and J. Olsson, IEEE 2008 International SOI Conference (2008), p. 69.

2. S. Lotfi, L.-G. Li, Ö. Vallin, L. Vestling, H. NorstrÖm, and J. Olsson, Solid State Electron. 70, 14 (2012).

3. L.-G. Li, Ö. Vallin, J. Lu, U. Smith, H. NorstrÖm, and J. Olsson, Solid State Electron. 54, 153 (2010).

4. L.-G. Li, Ö. Vallin, J. Lu, U. Smith, H. NorstrÖm, and J. Olsson, ECS Trans. 16, 377 (2008).

5. J.C. Mikkelsen, J. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59, 19 (1986).

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