1. X. Li, Z.S. Liu, D.G. Zhao, D.S. Jiang, P. Chen, J.J. Zhu, J. Yang, L.C. Le, W. Liu, X.G. He, X.J. Li, F. Liang, L.Q. Zhang, J.P. Liu, H. Yang, Y.T. Zhang, and G.T. Du, Sci. Technol. B, 2016, 34, p 041211.
2. N.I. Keda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, S. Yoshida, Proc. IEEE, 2010, 98, p 1151–1161.
3. H. Ishida, R. Kajitani, Y. Kinoshita, H. Umeda, S. Ujita, M. Ogawa, K. Tanaka, T. Morita, S. Tamura, M. Ishida, T. Ueda, IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), 2016.
4. Z.Y. Al Balushi, K. Wang, R.K. Ghosh, et al., Nat. Mater. 2016, 15, p 1166.
5. W.L. Wang, Y. Li, Y.L. Zheng, X.C. Li, L.G. Huang, and G.Q. Li, Small, 2019, 15, p 1802995.