Characteristics of NBTI in Multi-gate FETs for Highly Scaled CMOS Technology

Author:

Huang Ru,Wang Runsheng,Li Ming

Publisher

Springer New York

Reference51 articles.

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), http://public.itrs.net/

2. R. Huang, H. M. Wu, J. F. Kang, D. Y. Xiao, X. L. Shi, X. An, Y. Tian, R. S. Wang, L. L. Zhang, X. Zhang and Y. Wang, Sci. China Ser. F, Inf. Sci., 52, 1491 (2009).

3. Y. Y. Wang, Sci China Inf Sci, 54, 915 (2011).

4. M. Li, Sci China-Phys Mech Astron, 55, 2316 (2012)

5. J.-P. Colinge (eds.), FinFETs and Other Multi-Gate Transistors, Springer (2008).

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. NBTI tolerance and leakage reduction using gate sizing;ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems;2014-10-06

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