Formation and Properties of SiGe/Si Quantum Wire Structures-Reference-Cited by-同舟云学术

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Formation and Properties of SiGe/Si Quantum Wire Structures

Published:1995 Issue: Volume: Page:151-160
ISSN:
Container-title:Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates
language:
Short-container-title:

Author:

Shiraki Y.,Usami N.,Mine T.,Akiyama N.,Fukatsu S.

Publisher

Springer Netherlands

Link

http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-94-011-0341-1_14

Reference9 articles.

1. H. Hirayama, T. Tatsumi, and N. Aizaki; J. Crys. Growth 95, 476 (1989)

2. H. Hirayama, T. Tatsumi, and N. Aizaki; Appl. Phys. Lett. 52, 2242 (1988)

3. N.Usami, T.Mine, S.Fukatsu, and Y.Shiraki; Appl. Phys. Lett. 63, 2789 (1993)

4. H. Hirayama, M. Hiroi, K. Koyama, T. Tatsumi, F. Sato; Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 220, (1991) p.545

5. S. Fukatsu, N. Usami, Y. Kato, H. Sunamura, Y. Shiraki, H. Oku, T. Ohnishi, Y. Ohmori, and K. Okumura; J. Crystal Growth 136, 315 (1994)

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Facet Formation in Submicron Selective Growth of Si/SiGe;MRS Proceedings;1996

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