Comparing the Impact of Power Supply Voltage on CMOS- and FinFET-Based SRAMs in the Presence of Resistive Defects

Author:

Copetti T.,Balen T. R.,Brum E.,Aquistapace C.,Bolzani Poehls L.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Designing power‐efficient SRAM cells with SGFinFETs using LECTOR technique;Software: Practice and Experience;2023-12-04

2. Design of high efficient low power static logic circuit using SG FinFET;International Journal of Electronics;2023-09-21

3. Hard-to-Detect Fault Analysis in FinFET SRAMs;IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems;2021-06

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