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Temperature and SiO2/4H-SiC interface trap effects on the electrical characteristics of low breakdown voltage MOSFETs

  • Published:2019-04-04 Issue:5 Volume:125 Page:
  • ISSN:0947-8396
  • Container-title:Applied Physics A
  • language:en
  • Short-container-title:Appl. Phys. A

Author:

Bencherif H.,Dehimi L.,Pezzimenti F.ORCID,Corte F. G. Della

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Materials Science,General Chemistry

Reference43 articles.

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Cited by 31 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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