Formation of Silicon Nitride Thin Films by RF Ion Plating and Their Properties
Author:
Affiliation:
1. Nagasaki Institute of Applied Science
2. Technology Center of Nagasaki
Publisher
Japan Institute of Metals
Subject
General Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/matertrans1989/37/5/37_5_1056/_pdf
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