Effects of Si on Electromigration Resistance and Interfacial Reaction in Bilayered Al–0.5Cu–1Si/TiW Interconnections
Author:
Affiliation:
1. Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd.
2. Semiconductor Design and Development Center, Hitachi Ltd.
Publisher
Japan Institute of Metals
Subject
General Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/matertrans1989/33/4/33_4_410/_pdf
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