1. (1) D. Hisamoto, W. C. Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, K. Asano, T. J. King, J. Bokor and C. Hu: IEDM Tech. Dig., (1998), 1032-1034.
2. (2) H. Tanaka, M. Kido, K. Yahashi, M. Oomura, R. Katsumata, M. Kito, Y. Fukuzumi, M. Sato, Y. Nagata and Y. Matsuoka: Proceedings of the Symposium on VLSI Technology, (2007), 12-14.
3. (3) A. M. Cormack: J. Appl. Phys., 35(1964), 2908-2913.
4. (4) M. Hayashida, L. Gunawan, M. Malac, C. Pawlowicz and M. Couillard: Microsc. Microanal., 21(2015), 1609-1610.
5. (5) B. Fu, M. Gribelyuk, L. Dumas, C. Fang, N. LaManque, L. Hodgkins and E. Chen: Microsc. Microanal., 22(2016), 326-327.