Power Cycle Reliability of Cu Sintered Die-Bonding Using of Pressure Contact Structure
Author:
Affiliation:
1. Reseach & Innovation Promotion Headquarters Advanced Technology Research & development Center
Publisher
Japan Institute of Electronics Packaging
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jiep/25/3/25_JIEP-D-21-00088/_pdf
Reference19 articles.
1. 1) S. Kim, K.-S. Kim, S.-S. Kim, K. Suganuma, and G. Izuta: "Improving the Reliability of Si Die Attachment with Zn-Sn-Based High-Temperature Pb-Free Solder Using a TiN Diffusion Barrier," J. Electron. Mater., Vol. 38, No. 12, pp. 2668–2675, 2009
2. 2) 百瀬文彦,齋藤 隆,西村芳孝:“175°C連続動作を保証するIGBTモジュールのパッケージ技術,”富士電機技報,Vol. 8, No. 4, pp. 249–252, 2013
3. 3) 栗田 哲,遠藤圭一,三好宏昌,砂地直也,小山内英世:“銀ナノペーストとAlN基板との接合信頼性評価,”MES2013第23回マイクロエレクトロニクスシンポジウム講演予稿集,pp. 37–40, 2013
4. 4) 伊藤 健,他:“サブミクロン銀粒子を用いたダイボンド技術,”第26回エレクトロニクス実装学会春季講演大会講演予稿集,pp. 337–338, 2012
5. 5) 保田雄亮,床尾尚也,井出英一,森田俊章,小池義彦:“酸化銀粒子接合を用いた高温環境対応実装技術の開発,”エレクトロニクス実装学会誌,Vol. 16, No. 6, pp. 457–462, 2013
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