Affiliation:
1. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Abstract
В работе показан анализ изменения формы ватт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных из различных полупроводниковых структур AlGaInP, InGaN и GaP при изменении уровня инжекции неосновных носителей заряда в активную область светодиода. Показано, что мощность излучения является критериальным параметром светодиодов, основной светотехнической характеристикой и функцией от приложенного прямого тока. Для светодиодов на основе AlGaInP c множественными квантовыми ямами различного типа монтажа наблюдается существенное снижение мощности излучения для СД желтого цвета свечения. Для приборов на основе GaP наблюдается обратная зависимость. Высказано предположение о проявлении примесных центров в качестве центров безызлучательной рекомбинации. Показано, что с высокой точностью для всех типов светодиодов и изготовленных из различных полупроводниковых структур ватт-амперные характеристики описываются одной степенной функцией. Установлено, что показатель степени a в полученном соотношении определяет режим работы светодиода и характеризует квантовый выход индивидуального прибора и чувствительность фотодиода, используемого при измерениях в фотометрическом шаре и различен для различных диапазонов токов. Сделано предположение о различном поведении СД в указанных диапазонах токов при наличии каких-либо внешних воздействий (наработка, старение, длительная эксплуатация, радиационное воздействие).
Publisher
National Research Nuclear University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute)
Reference13 articles.
1. Gontaruk O.N., Kovalenko A.V., Konoreva O.V., Malyj E.V., Petrenko I.V., Pinkovskaya M.B., Tartach-nik V.P. Elektrolyuminescenciya serijnyh svetodiodov GaP v zelenoj oblasti spektra [Electroluminescence of GaP serial LEDs in the green region of the spectrum]. Zhurnal prikladnoj spektroskopii. 2013. Vol. 80. No. 6. Pp. 859–863 (in Russian).
2. Wilson D.J., Schneider K., Hönl S, Anderson M., Baumgartner Ya., Czornomaz L., Kippenberg T.J. Seidler P. Integrated gallium phosphide nonlinear photonics. Nature Photonics. 2020. Vol. 14. No. 1. Pp. 57–62.
3. John S. Different Types of in Light Emitting Diodes (LED) Materials and Challenges-A Brief Review. International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology. 2018. Vol. 6. Pp. 4418– 4420.
4. Frolov I.V., Radaev O.A., Sergeev V.A. Dina¬mi-cheskie harakteristiki i kvantovaya effektivnost' otdel'nyh spektral'nyh sostavlyayushchih spektra izlucheniya InGaN svetodiodov [Dynamic Characteristics and Quantum Efficiency of Individual Spectral Components of the Emission Spectrum of InGaN LEDs]. Zhurnal radioelektroniki. 2018. No. 9. Pp. 1–14 (in Russian).
5. Chang M.H., Das D., Varde P.V., Pecht M. Light emitting diodes reliability review. Microelectronics Reliability. 2012. Vol. 52. No. 5. Pp. 762–782.