Correlation between Deposition Parameters and Structures of the SiNx Films Deposited at Extremely High Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD

Author:

KAKIUCHI Hiroaki,NAKAHAMA Yasuji,OHMI Hiromasa,YASUTAKE Kiyoshi,YOSHII Kumayasu,MORI Yuzo

Publisher

Japan Society for Precision Engineering

Reference16 articles.

1. 1) 森 勇藏,垣内弘章,大参宏昌,芳井熊安,安武 潔:大気圧プラズマCVD法によるSiNxの成膜特性,精密工学会誌論文集,70.2 (2004) 292.

2. 2) 森 勇蔵,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,大参宏昌,山本達志,中濱康冶:大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH3/SiH4比の最適化,精密工学会大会学術講演会講演論文集.(2002) 370.

3. Cleaving Process of Brittle Materials with Pulsed YAG Laser. Thermal Stress Analysis in Cleaving Process of Silicon Wafer.

4. 4) 森 勇蔵,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,大参宏昌,中濱康冶:大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究—原料ガス混合条件が膜構造に及ぼす影響—,2003年度精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集,(2003) 77.

5. 5) 森 勇藏,芳井熊安,安武 潔,垣内弘章,木山精一,樽井久樹,堂本洋一;大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第1報) —回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計.試作—,精密工学会誌,65,11 (1999), 1600.

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