Analysis of CeO2 Adsorption to Various Materials (SiO2, Si3N4, poly-Si) on the Surface of Semiconductor Substrates by First-Principles Calculation-Reference-Cited by-同舟云学术

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Analysis of CeO2 Adsorption to Various Materials (SiO2, Si3N4, poly-Si) on the Surface of Semiconductor Substrates by First-Principles Calculation

Published:2023-08-05 Issue:8 Volume:89 Page:642-647
ISSN:0912-0289
Container-title:Journal of the Japan Society for Precision Engineering
language:en
Short-container-title:Journal of the Japan Society for Precision Engineering

Author:

Masuya Koichi¹,Obuchi Masashi¹,Takatoh Chikako¹,Uno Megumi¹,Hamada Satomi¹,Kurashita Masamitsu¹,Fukunaga Akira¹,Mikami Masuhiro²

Affiliation:

1. 株式会社荏原製作所

2. 慶応義塾大学

Publisher

Japan Society for Precision Engineering

Subject

Mechanical Engineering

Link

https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjspe/89/8/89_642/_pdf

Reference21 articles.

1. 1) 辻村学 : 半導体プロセスのCMP技術, 精密工学会誌, 83, 3 (2017) 220.

2. 2) 真田俊之, 福永明, 檜山浩國 : PVAブラシによるスクラブ洗浄, 混相流, 32, 2 (2018) 223.

3. 3) 河瀬康弘, 草野智博, 原田憲, 竹下寛 : 先端デバイスのCMP後洗浄技術, 精密工学会誌, 84, 3 (2018) 230.

4. 4) 今井正芳 : 半導体製造CMP工程後の洗浄技術, The chemical times, 245, 3 (2017) 8.

5. 5) Wei-Tsu Tseng et al. : Post Cleaning for FEOL CMP with Silica and Ceria Slurries, ECS J. Solid State Sci. Technol., 6, 10 (2017) 718.

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