A Ka-band High Gain Wideband Low Noise Amplifier in $.18-\mu \mathrm{m}\ \text{SiGe}$ BiCMOS
Author:
Affiliation:
1. Nanjing University of Science and Technology,Ministerial Key Laboratory of JGMT,Nanjing,Jiangsu,China
2. Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,Jiangsu,China
Funder
National Natural Science Foundation of China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9977438/9977447/09977672.pdf?arnumber=9977672
Reference12 articles.
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4. Millimeter-wave CMOS circuit design
5. A 29–37 GHz BiCMOS Low-Noise Amplifier with 28.5 dB Peak Gain and 3.1-4.1 dB NF
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