Line Edge Roughness Modeling for Continuous Time-space Resist Simulations

Author:

Chen Hong1,Xie Li1,Wei Lijie1,Shu Zhong1,Qiu Binglin1,Pei Zhuoran1,Bai Geng1

Affiliation:

1. Shenzhen GWX Technology Co., Ltd.,Shenzhen City,P. R. China

Publisher

IEEE

Reference17 articles.

1. Line edge roughness is here to stay;Braun,2005

2. The Lithography Expert: Line Edge Roughness, Part 1;Mack;Microlithography World,2007

3. Understanding molecular-level effects during post-exposure processing

4. Line edge roughness and photoresist percolation development model

5. New stochastic post-exposure bake simulation method;Mulders;J. Microlith., Microfab., Microsyst.,2005

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