Study on Broadband Millimeter-Wave 2-Stage Power Amplifier Design in 40-nm GaN pHEMTs
Author:
Affiliation:
1. Texas Tech University,ECE Department,Lubbock,TX,USA
2. NoiseFigure Research Inc.,Seattle,WA,USA
Funder
Advanced Research Projects Agency
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10169134/10169905/10170319.pdf?arnumber=10170319
Reference22 articles.
1. A Highly Efficient 18–40 GHz Linear Power Amplifier in 40-nm GaN for mm-Wave 5G
2. A 24–28-GHz GaN MMIC Synchronous Doherty Power Amplifier With Enhanced Load Modulation for 5G mm-Wave Applications
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1. Effective Digital Predistortion (DPD) on a Broadband Millimeter-Wave GaN Power Amplifier Using LTE 64-QAM Waveforms;Electronics;2023-06-28
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