A 174.8 dB FoMs CT-ΔΣ ADC with Integrated ISFET Sensor and Noise-Shaping Enhancement
Author:
Affiliation:
1. Beihang University,School of Integrated Circuits Science and Engineering,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10557746/10557828/10558235.pdf?arnumber=10558235
Reference9 articles.
1. ISFETs in CMOS and Emergent Trends in Instrumentation: A Review
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