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Fluorine-free Word Line Molybdenum Process for Enhancing Scalability and Reliability in 3D Flash Memory

  • Published:2024-06-16 Issue: Volume:70 Page:1-2
  • ISSN:
  • Container-title:2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)
  • language:
  • Short-container-title:

Author:

Fukushima T.1,Kashima T.1,Seto S.1,Ohtori H.1,Kato M.1,Katou K.1,Takehira H.1,Sugawara Y.1,Zhu Z.1,Hara K.1,Osanai R.1,Beppu T.1,Tahara H.1,Ishiku T.1,Takahashi K.1,Ariga T.1,Ueda Y.2,Matamura Y.2,Mukae Y.2,Takeguchi N.2,Maruyama Y.1,Nishikawa R.1,Kitagawa H.1,Asakawa J.3,Uchiyama Y.1,Ohuchi K.1,Sekine K.1

Affiliation:

1. Advanced Memory Development Center

2. Western Digital Corporation,Yokkaichi,Japan,512-8550

3. Institute of Memory Technology Research & Development, Kioxia Corporation

Publisher

IEEE

Reference8 articles.
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